NPN-Transistor 2SC5296, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

NPN-Transistor 2SC5296, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
2.79€
5-14
2.53€
15-29
2.32€
30-59
2.12€
60+
1.82€
Menge auf Lager: 16

NPN-Transistor 2SC5296, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 43 Ohms. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: nein. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Tf (Typ): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5296
26 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PML
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
43 Ohms
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
ja
Darlington-Transistor?
nein
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
16A
Maximaler hFE-Gewinn
25
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
15
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
60W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
5V
Tf (Typ)
0.1 ns
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Pmc