NPN-Transistor 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5129. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Abfallzeit 0,15..03us (64kHz). Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12