NPN-Transistor 2SC4793, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V

NPN-Transistor 2SC4793, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V

Menge
Stückpreis
1-4
1.83€
5-9
1.63€
10-24
1.47€
25-49
1.36€
50+
1.21€
Menge auf Lager: 19

NPN-Transistor 2SC4793, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 20pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1837. Sättigungsspannung VCE(sat): -. Transistortyp: NPN. VCBO: 230V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC4793
23 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-10R1A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
230V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
FT
100 MHz
Funktion
NF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
20pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Maximaler hFE-Gewinn
320
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1837
Transistortyp
NPN
VCBO
230V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba