Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC3886A

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC3886A
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC3886A. NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C3886A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: MONITOR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Div. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 08:25.

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2SC5386

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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: MONITOR Hi-res. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: MONITOR Hi-res. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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BU2522AX

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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V
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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V
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FJAF6810A

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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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