NPN-Transistor 2SC2911, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V

NPN-Transistor 2SC2911, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V

Menge
Stückpreis
1-4
1.69€
5-24
1.44€
25-49
1.26€
50-99
1.15€
100+
0.98€
Gleichwertigkeit vorhanden
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NPN-Transistor 2SC2911, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Kollektorstrom: 0.14A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 0.2A. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1209. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:13

Technische Dokumentation (PDF)
2SC2911
26 Parameter
Kollektorstrom
0.14A
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
180V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
150 MHz
Funktion
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
0.2A
Maximaler hFE-Gewinn
400
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
10W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1209
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.1us
Tf(min)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
160V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo

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