NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR

NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. NPN-Transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 700. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DG. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DG. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1163. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.