NPN-Transistor 2SC1845, 50mA, TO-92, TO-92, 120V

NPN-Transistor 2SC1845, 50mA, TO-92, TO-92, 120V

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NPN-Transistor 2SC1845, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+125°C. CE-Diode: nein. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Kosten): 1.6pF. Maximaler hFE-Gewinn: 580. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Samsung--0501-000354. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Äquivalente: KSC1845. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51

Technische Dokumentation (PDF)
2SC1845
26 Parameter
Kollektorstrom
50mA
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
120V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+125°C
CE-Diode
nein
FT
110 MHz
Funktion
HI-FI-Audioverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C1845
Kosten)
1.6pF
Maximaler hFE-Gewinn
580
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
150
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
RoHS
ja
Spec info
Samsung--0501-000354
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.07V
Transistortyp
NPN
VCBO
120V
Vebo
5V
Äquivalente
KSC1845
Originalprodukt vom Hersteller
Nec

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