NPN-Transistor 2SB709, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MINI MOLD. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 80 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 0.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AQ. Kosten): 2.7pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 460. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: nein. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD601. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: PNP. VCBO: 25V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Matsushita. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51