NPN-Transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V
| +3 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit! | |
| Menge auf Lager: 53 |
NPN-Transistor 2SB688, TO-3PN ( 2-16C1B ), 8A, TO-3PN, 120V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 10 MHz. Frequenz: 10MHz, 15MHz. Gewinne hfe: 20...200. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B668. Kollektorstrom Ic [A]: 8A, 12A. Leistung: 100W. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Polarität: bipolar. Spannung (Sammler - Emitter): 120V, 140V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD718. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Korea Electronics Semi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:51