NPN-Transistor 2SB1204, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Halbleitermaterial: Silizium. Id(imp): 12A. Kosten): 95pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1804. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Tf (Typ): 20 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:35