NPN-Transistor 2SB1039, M10/J, 100V, 4A
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NPN-Transistor 2SB1039, M10/J, 100V, 4A. Gehäuse: M10/J. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 03/11/2025, 03:07
2SB1039
8 Parameter
Gehäuse
M10/J
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
4A
Anzahl der Terminals
3
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
RoHS
nein