NPN-Transistor 2SB1012, TO-126, 120V, 1.5A
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NPN-Transistor 2SB1012, TO-126, 120V, 1.5A. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 8W. RoHS: nein. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:40
2SB1012
8 Parameter
Gehäuse
TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
120V
Kollektorstrom Ic [A], max.
1.5A
Anzahl der Terminals
3
Komponentenfamilie
PNP Darlington Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
8W
RoHS
nein