NPN-Transistor 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V
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NPN-Transistor 2SA881, D8A/C, 40V/32V, 1A, 1A, 40V. Gehäuse: D8A/C. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: -. Komponentenfamilie: PNP Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: -.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. RoHS: nein. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Matsushita. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:35
2SA881
17 Parameter
Gehäuse
D8A/C
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
40V/32V
Kollektorstrom Ic [A], max.
1A
Kollektorstrom
1A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
Anzahl der Terminals
3
FT
150 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Komponentenfamilie
PNP Bipolar Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.6W
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
0.6W
RoHS
nein
Transistortyp
PNP
Originalprodukt vom Hersteller
Matsushita