NPN-Transistor, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V - 2SA1360

NPN-Transistor, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V - 2SA1360. NPN-Transistor, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-8H1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3423. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 14:25.