NPN-Transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V - 2SA1358Y

NPN-Transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V - 2SA1358Y. NPN-Transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F (2-8A1H). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC3421Y. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 14:25.