NPN-Transistor 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

NPN-Transistor 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V

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1.27€
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NPN-Transistor 2SA1145, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 200 MHz. Funktion: Audioverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 9mm. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1145 O. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SC2705. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: „Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2SA1145
26 Parameter
Kollektorstrom
50mA
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
150V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
200 MHz
Funktion
Audioverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
9mm
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
A1145 O
Maximaler hFE-Gewinn
160
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
80
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.8W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SC2705
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Technologie
„Epitaktischer Typ (PCT-Prozess)“
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
150V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba