NPN-Transistor 2N6491, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. FT: 5 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6488. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Transistortyp: PNP. VCBO: 90V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37