NPN-Transistor, 4A, TO-66, TO-66, 120V - 2N6468

NPN-Transistor, 4A, TO-66, TO-66, 120V - 2N6468. NPN-Transistor, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-66. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-66. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 130V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 19:25.