NPN-Transistor 2N6284, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Gewicht: 11.8g. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 40A. Kosten): 400pF. Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6287. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37