NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V - 2N5416

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V - 2N5416. NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschalt- und Linearverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 19/04/2025, 19:25.