NPN-Transistor 2N4033, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V

NPN-Transistor 2N4033, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V

Menge
Stückpreis
1-4
0.93€
5-14
0.77€
15-29
0.69€
30-59
0.63€
60+
0.54€
Menge auf Lager: 24

NPN-Transistor 2N4033, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39 ( TO-5 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 150...500 MHz. Funktion: S. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 20pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N4033
25 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
TO-39 ( TO-205 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-39 ( TO-5 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+200°C
CE-Diode
nein
FT
150...500 MHz
Funktion
S
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
20pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.15V
Maximaler hFE-Gewinn
300
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
75
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.8W
RoHS
ja
Tf(max)
350 ns
Tf(min)
100 ns
Transistortyp
PNP
VCBO
80V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil