NPN-Transistor 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N3906. Ic(Impuls): 200mA. Kollektorstrom Ic [A]: 0.2A. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 0.625W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Technologie: Si-Epitaxie-Planartransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 5V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37