NPN-Transistor 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V

NPN-Transistor 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V

Menge
Stückpreis
1-4
2.74€
5-24
2.44€
25-49
2.24€
50-99
2.10€
100+
1.85€
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NPN-Transistor 2N2369A, TO-18 ( TO-206 ), 200mA, 0.2A, TO-18, 40V. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -60...+200°C. FT: 500 MHz. Funktion: Schalttransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Grenzfrequenz ft [MHz]: 675 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2N2369. Ic(Impuls): 0.5A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 15 ns. Tf(min): 15 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Originalprodukt vom Hersteller: Mev. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37

Technische Dokumentation (PDF)
2N2369A
32 Parameter
Gehäuse
TO-18 ( TO-206 )
Kollektorstrom Ic [A], max.
200mA
Kollektorstrom
0.2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-18
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-60...+200°C
FT
500 MHz
Funktion
Schalttransistor
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-18
Grenzfrequenz ft [MHz]
675 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
2N2369
Ic(Impuls)
0.5A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
15V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+200°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.36W
Maximaler hFE-Gewinn
120
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
40
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.36W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.2V
Tf(max)
15 ns
Tf(min)
15 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
40V
Originalprodukt vom Hersteller
Mev