NPN-Transistor, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V - 2N2219A

NPN-Transistor, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V - 2N2219A. NPN-Transistor, 0.8A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 25pF. Kosten): 8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Continental Devices. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 23:25.