NP82N055PUG

NP82N055PUG. C(in): 6400pF. Kosten): 465pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. ID (T=25°C): 82A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 82N055. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 142W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.1m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MP-25ZP. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 900. Spec info: MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 11:25.