Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MOSFET-Steuerung

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IR2113SPBF

IR2113SPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
IR2113SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2113SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2117

IR2117

Funktion: SINGLE CHANNEL DRIVER. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterpl...
IR2117
Funktion: SINGLE CHANNEL DRIVER. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Hinweis: Io--200/420mA. Hinweis: Vout 10V...20V
IR2117
Funktion: SINGLE CHANNEL DRIVER. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Hinweis: Io--200/420mA. Hinweis: Vout 10V...20V
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IR2117PBF

IR2117PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2117PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2117PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2118PBF

IR2118PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2118PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2118PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2121

IR2121

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse:...
IR2121
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Vout 12V...18V. Hinweis: Io +-1A/2A
IR2121
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Vout 12V...18V. Hinweis: Io +-1A/2A
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IR2121PBF

IR2121PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2121PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V
IR2121PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V
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IR2125

IR2125

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse:...
IR2125
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Vout 12V...18V. Hinweis: Io +-1A/2A
IR2125
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: Vout 12V...18V. Hinweis: Io +-1A/2A
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IR2125PBF

IR2125PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2125PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V
IR2125PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +18V
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IR2127S

IR2127S

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO....
IR2127S
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Vout 12V...20V. Hinweis: Io 200/420mA
IR2127S
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Hinweis: Vout 12V...20V. Hinweis: Io 200/420mA
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IR2130

IR2130

Funktion: 20V 200mA Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Teilung: 15.24mm. Montage/Installation:...
IR2130
Funktion: 20V 200mA Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Teilung: 15.24mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. Hinweis: Uoffs=600V. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Hinweis: Data t.2.5us. Anzahl der Terminals: 28
IR2130
Funktion: 20V 200mA Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Teilung: 15.24mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. Hinweis: Uoffs=600V. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Hinweis: Data t.2.5us. Anzahl der Terminals: 28
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IR2130JPBF

IR2130JPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
IR2130JPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PLCC44. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 44. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2130JPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PLCC44. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 44. Schaltungstyp: 3-Phasen-MOSFET/IGBT-Brückentreiber. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2132

IR2132

Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Teilung: 15.24mm. Montage/Installation...
IR2132
Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Teilung: 15.24mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. Hinweis: Uoffs=600V. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Hinweis: Data t.0.8us. Anzahl der Terminals: 28
IR2132
Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Teilung: 15.24mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. Hinweis: Uoffs=600V. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Hinweis: Data t.0.8us. Anzahl der Terminals: 28
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IR2132S

IR2132S

Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmont...
IR2132S
Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-28. Hinweis: Uoffs=600V. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Hinweis: Data t.0.8us. Anzahl der Terminals: 28
IR2132S
Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-28. Hinweis: Uoffs=600V. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Hinweis: Data t.0.8us. Anzahl der Terminals: 28
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IR2151PBF

IR2151PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2151PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2151PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2153DPBF

IR2153DPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2153DPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
IR2153DPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
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IR2153PBF

IR2153PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2153PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
IR2153PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
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IR2153SPBF

IR2153SPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
IR2153SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
IR2153SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
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IR2155PBF

IR2155PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2155PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2155PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR21593PBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. ...
IR21593PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Dimmerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
IR21593PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Dimmerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +12V. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
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IR2167

IR2167

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP2...
IR2167
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP20. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 20. Schaltungstyp: Regler für Leuchtstofflampe. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
IR2167
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP20. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 20. Schaltungstyp: Regler für Leuchtstofflampe. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Maximale Versorgungsspannung (V): +600V
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IR2181SPBF

IR2181SPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
IR2181SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2181SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2183PBF

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
IR2183PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
IR2183PBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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IR2183SPBF

IR2183SPBF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
IR2183SPBF
RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. K...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: ...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Anzahl der Kreise: 1. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +125°C. Mindestversorgungsspannung (V): +10V. Maximale Versorgungsspannung (V): +20V/600V
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