IR2153SPBF

IR2153SPBF

Menge
Stückpreis
1+
3.10€
+31 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 40

IR2153SPBF. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 40ns. Anzahl der Ausgänge: 2. Anzahl der Kanäle: 2. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgangsspannung: 625.3V. Betriebstemperatur: -40...125°C. Funktion: MOSFET-Halbbrücke. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konditionierung: tubus. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.625W. Maximale Temperatur: +125°C.. Montage/Installation: SMD. RoHS: ja. Schaltungstyp: Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Spannungsklasse: 600V. Technologie: MOSFET. Verpackung: tubus. Zeitschaltzeit: 80ns. [V]: +600V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:35

Technische Dokumentation (PDF)
IR2153SPBF
23 Parameter
Abschaltverzögerung tf [μsec.]
40ns
Anzahl der Ausgänge
2
Anzahl der Kanäle
2
Anzahl der Kreise
1
Anzahl der Terminals
8:1
Ausgangsspannung
625.3V
Betriebstemperatur
-40...125°C
Funktion
MOSFET-Halbbrücke
Gehäuse
SO8
Komponentenfamilie
MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
Konditionierung
tubus
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leistung
0.625W
Maximale Temperatur
+125°C.
Montage/Installation
SMD
RoHS
ja
Schaltungstyp
Halbbrücken-MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung
Spannungsklasse
600V
Technologie
MOSFET
Verpackung
tubus
Zeitschaltzeit
80ns
[V]
+600V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier