MMBT5551LT1G

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.26€	0.31€
10 - 24	0.25€	0.30€
25 - 49	0.24€	0.29€
50 - 99	0.22€	0.26€
100 - 249	0.11€	0.13€
250 - 499	0.10€	0.12€
500 - 8825	0.0967€	0.1151€

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Set mit 1

MMBT5551LT1G. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 06:25.

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