MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G. Kosten): 80pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): 0.9A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2x. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 30 ns. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 2X. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.