MMBT3906LT1G

MMBT3906LT1G. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.