NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE253G

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.76€	0.90€
5 - 9	0.72€	0.86€
10 - 24	0.69€	0.82€
25 - 49	0.65€	0.77€
50 - 99	0.63€	0.75€
100 - 249	0.56€	0.67€
250 - 433	0.59€	0.70€

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NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE253G. NPN-Transistor, -100V, -4A, TO-126, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -4A. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Leistung: 15W. Max Frequenz: 40 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 40 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung, Audio. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE243. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 02:25.

Technische Dokumentation