MJE200G

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.61€	1.92€
5 - 9	1.53€	1.82€
10 - 24	1.45€	1.73€
25 - 32	1.37€	1.63€

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Set mit 1

MJE200G. Kosten): 80pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 65MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 25V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE210. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.

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