Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.07€ | 3.65€ |
5 - 9 | 2.92€ | 3.47€ |
10 - 11 | 2.77€ | 3.30€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.07€ | 3.65€ |
5 - 9 | 2.92€ | 3.47€ |
10 - 11 | 2.77€ | 3.30€ |
MJE18008. C(in): 1750pF. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 34. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 12:25.
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