NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V - MJE18008

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V - MJE18008. NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. C(in): 1750pF. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 34. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 23:25.