MJE15035G

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	2.24€	2.67€
5 - 9	2.12€	2.52€
10 - 24	2.01€	2.39€
25 - 49	1.90€	2.26€
50 - 71	1.86€	2.21€

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Set mit 1

MJE15035G. Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 8A. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) MJE15034G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 350V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 10:25.

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