NPN-Transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V - MJE15033G

NPN-Transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V - MJE15033G. NPN-Transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-220. Kosten): 2pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15032. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 00:25.