NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V - MJE15032G

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V - MJE15032G. NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJE15032G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 30 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15033. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 15:25.