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Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor 2SC1967 NPN Transistor - n/a
Produktreferenz : 2SC1967
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 37.20 € | — |
| 5 – 99 | 35.77 € | -4% |
| 100+Bestpreis | 33.08 € | -11% |
Technische Spezifikationen
5 Parameter| Parameter | Wert |
| Max. Vcbo Spannung | 35 V |
| Max. Ic Strom | 2.0 A |
| Gehäuse | n/a |
| Typ | NPN |
Technische Produktbeschreibung (2SC1967):
Der 2SC1967 ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor in einem n/a-Gehäuse. Ideal für universelle HF-Anwendungen und Hochfrequenzoszillatoren.<br><br>