Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.04€ |
5 - 9 | 0.82€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.93€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.88€ |
50 - 87 | 0.72€ | 0.86€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.87€ | 1.04€ |
5 - 9 | 0.82€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.93€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.88€ |
50 - 87 | 0.72€ | 0.86€ |
KBU8M. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: KBU8M, KBU807. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 5.08x5.08mm. Abmessungen: 21.5x18.3x3.4mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms), IFSM--180Ap (t=10ms). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.
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