IRLR120N

IRLR120N. C(in): 440pF. Kosten): 97pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR120NTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.185 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 22:25.