Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.14€ | 1.36€ |
5 - 9 | 1.08€ | 1.29€ |
10 - 24 | 1.02€ | 1.21€ |
25 - 47 | 0.96€ | 1.14€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.14€ | 1.36€ |
5 - 9 | 1.08€ | 1.29€ |
10 - 24 | 1.02€ | 1.21€ |
25 - 47 | 0.96€ | 1.14€ |
IRLB8721. C(in): 1077pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 00:25.
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