IRLB1304PTPBF

IRLB1304PTPBF. C(in): 7660pF. Kosten): 2150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 00:25.