IRG4PC30KD

IRG4PC30KD. C(in): 920pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Kollektorstrom: 28A. Ic(Impuls): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.21V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ultraschneller IGBT-Transistor. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 03:25.