IRG4BC20KDPBF

IRG4BC20KDPBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC20KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 16A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 54 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 180 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 ( AB ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.27V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Maximaler Kollektorstrom (A): 32A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 06:25.