IRFR9220

IRFR9220. C(in): 340pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK ( TO-252AA ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 06:25.