Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFP3710

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IRFP3710. C(in): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 10:25.

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Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 51A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V
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Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: FastSwitch. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 51A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V
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