IRFL9110

IRFL9110. C(in): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.69A. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.