IRFL210

IRFL210. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 7.7A. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code FC. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FC. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 13:25.