IRFB260N

IRFB260N. C(in): 4220pF. Kosten): 580pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB260N. Pd (Verlustleistung, max): 380W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.