IRFB23N15D

IRFB23N15D. C(in): 1200pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. Id(imp): 92A. ID (T=100°C): 17A. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B23N15D. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.