IRF9620

IRF9620. C(in): 350pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.